射频功率放大器行业

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价值投资的学习,最好的办法就是从行业研究开始。价值投资入门的最佳途径,就是选择几个投资者可能熟悉或者感兴趣的产业分析,从阅读行业报告开始。

价值投资培训的第一个投资分析的环节,就是让把行业研究作为价值投资入门的一个重要途径。

行业研究有一个固定的套路,那就是对产业政策行业空间行业增速行业壁垒行业格局等有一个清晰的认识,涉及到的数据最好能够记住。

我们以医疗信息化行业为例子,来看看如何进行行业分析行业研究


什么是射频功率放大器?

射频功率放大器(PA )作为射频前端发射通路的主要器件,主要是为了将调制振荡电路所产生的小功率的射频信号放大,获得足够大的射频输出功率,才能馈送到天线上辐射出去,通常用于实现发射通道的射频信号放大。


射频功率放大器的作用?

手机射频前端一旦连上移动网络,任何一台智能手机都能轻松刷朋友圈、看高清视频、下载图片、在线购物,这完全是射频前端进化的功劳,手机每一个网络制式(2G/3G/4G/WiFi/GPS),都需要自己的射频前端模块,充当手机与外界通话的桥梁—手机功能越多,它的价值越大。


射频功率放大器的构成?

射频前端模块是移动终端通信系统的核心组件,对它的理解可以从两方面考虑:一是必要性,它是连接通信收发器(transceiver)和天线的必经之路;二是重要性,它的性能直接决定了移动终端可以支持的通信模式,以

及接收信号强度、通话稳定性、发射功率等重要性能指标,直接影响终端用户体验。

射频前端芯片包括功率放大器(PA),天线开关(Switch)、滤波器(Filter)、双工器(Duplexer 和 Diplexer)和低噪声放大器(LNA)等,在多模/多频终端中发挥着核心作用。


射频前端市场的市场容量和行业增长率是多少?

1.手机和 WiFi 连接的射频前端市场预计将在 2023 年达到 352 亿美元,复合年增长率为 14%。

2.射频前端产业中最大的市场为滤波器,将从 2017 年的 80 亿美元增长到2023 年 225 亿美元,复合年增长率高达 19%。该增长主要来自于 BAW 滤波器的渗透率显著增加,典型应用如5G NR 定义的超高频段和 WiFi 分集天线共享。

3.功率放大器市场增长相对稳健,复合年增长率为 7%,将从2017年的50亿美元增长到2023年的70亿美元。高端 LTE功率放大器市场的增长,尤其是高频和超高频,将弥补 2G/3G 市场的萎缩。

3.砷化镓器件应用于消费电子射频功放,是 3G/4G  通讯应用的主力,物联网将是其未来应用的蓝海;氮化镓器件则以高性能特点目前广泛应用于基站、雷达、电子战等军工领域,利润率高且战略位置显著,由于更加适用于 5G,氮化镓有望在 5G 市场迎来爆发。


5G对手机射频PA的影响是什么?

影响是量价齐升。

1.射频前端与智能终端一同进化,4G 时代,智能手机一般采取1发射2接收架构。由于5G新增了频段(n41 2.6GHz,n77 3.5GHz 和 n79 4.8GHz),因此5G手机的射频前端将有新的变化,同时考虑到 5G 手机将继续兼容4G、3G 、2G 标准,因此 5G 手机射频前端将异常复杂。

2.预测 5G 时代,智能手机将采用2发射4接收方案。

3.无论是在基站端还是设备终端,5G给供应商带来的挑战都首先体现在射频方面,因为这是设备“上”网的关键出入口,即将到来的 5G 手机将会面临多方面的挑战。

4.更多频段的支持:因为从大家熟悉的 b41 变成 n41、n77 和 n78,这就需要对更多频段的支持。

5.不同的调制方向:因为5G专注于高速连接,所以在调制方面会有新的变化,对功耗方面也有更多的要求。比如在 4G 时代,大家比较关注 ACPR。但到了5G时代,则更需要专注于 EVM(一般小于 1.5%)。

6.信号路由的选择:选择 4G anchor+5G 数据连接,还是直接走 5G,这会带来不同的挑战。

7.开关速度的变化:这方面虽然没有太多的变化,但 SRS 也会带来新的挑战。

8.其他如 n77/n78/n79 等新频段的引入,也会对射频前端形态产生影响,推动前端模组改变,满足新频段和新调谐方式等的要求。

9.Qorvo  指出,5G将给天线数量、射频前端模块价值量带来翻倍增长。以5G 手机为例,单部手机的射频半导体用量达到 25 美金,相比4G手机近乎翻倍增长。其中滤波器从40个增加至70个,频带从15个增加至30个,接收机发射机滤波器从30个增加至75个,射频开关从10个增加至30个,载波聚合从5个增加至200 个。

10.5G手机功率放大器(PA )用量翻倍增长:PA 是一部手机最关键的器件之一,它直接决定了手机无线通信的距离、信号质量,甚至待机时间,是整个射频系统中除基带外最重要的部分。手机里面 PA 的数量随着 2G、3G、4G、5G 逐渐增加。以 PA 模组为例,4G 多模多频手机所需的 PA 芯片为5-7 颗,预测 5G 手机内的 PA芯片将达到 16 颗之多。

11.5G 手机功率放大器(PA )单机价值量有望达到7.5 美元:同时,PA 的单价也有显著提高,2G手机 PA平均单价为0.3美金,3G 手机用 PA上升到 1.25 美金,而全模 4G 手机 PA 的消耗则高达 3.25 美金,预计 5G 手机PA价值量达到 7.5 美元以上。

12.与载波聚合与 Massivie MIMO对PA的要求大幅增加。“一般情况下,2G只需非常简单的发射模块,3G需要有 3G 的功率放大器,4G要求更多滤波器和双工器载波器,载波聚合则需要有与前端配合的多工器,上行载波器的功率放大器又必须重新设计来满足线性化的要求。

13.5G无线通信前端将用到几十甚至上百个通道,要求网络设备或者器件供应商能够提供全集成化的解决方案,这大大增加产品设计的复杂度,无论对器件解决方案还是设备解决方案提供商都提出了很大技术挑战。


5G对GaAs射频器件的影响?

GaAs射频器件仍将主导手机市场

1.5G时代,GaAs材料适用于移动终端。GaAs 材料的电子迁移率是Si的 6倍,具有直接带隙,故其器件相对Si器件具有高频、高速的性能,被公认为是很合适的通信用半导体材料。在手机无线通信应用中,目前射频功率放大器绝大部分采用 GaAs 材料。在GSM通信中,国内的锐迪科和汉天下等芯片设计企业曾凭借RF CMOS 制程的高集成度和低成本的优势,打破了采用国际龙头厂商采用传统的 GaAs 制程完全主导射频功放的格局。

但是到了 4G 时代,由于 Si 材料存在高频损耗、噪声大和低输出功率密度等缺点,RF CMOS 已经不能满足要求,手机射频功放重新回到 GaAs 制程完全主导的时代。与射频功放器件依赖于 GaAs 材料不同,90%的射频开关已经从传统的 GaAs 工艺转向了 SOI(Silicon on insulator)工艺,射频收发机大多数也已采用 RF CMOS 制程,从而满足不断提高的集成度需求

2.5G 时代,GaN材料适用于基站端。在宏基站应用中,GaN 材料凭借高频、高输出功率的优势,正在逐渐取代Si LDMOS;在微基站中,未来一段时间内仍然以 GaAs PA件为主,因其目前具备经市场验证的可靠性和高性价比的优势,但随着器件成本的降低和技术的提高,GaN PA 有望在微基站应用在分得一杯羹;在移动终端中,因高成本和高供电电压,GaN PA 短期内也无法撼动 GaAs PA的统治地位。

3.全球 GaAs射频器件被国际巨头垄断。全球 GaAs 射频器件市场以IDM模式为主,主要厂商有美国 Skyworks、Qorvo、Broadcom,日本村田等。


GaAs 射频器件市场容量,市场格局?

据 Strategy Analytics 统计,2016 年全球 GaAs 射频器件市场规模为 81.9亿美元,同比增长 0.9%。2016 年,Skyworks、Qorvo 和 Broadcom 在全球射频器件市场的占有率分别为 30.67%、27.97%和 7.39%,三家合计占有全球 66%的份额,Skyworks 和 Qorvo 更是处于全球遥遥领先的位置。

2017 年 GaAs 晶圆代工市场,台湾稳懋(Win Semi)独占全球 72.7%的市场份额,是全球第一大 GaAs 晶圆代工厂。


5G设备射频前端模组化趋势明显,SIP 大有可为

5G 将重新定义射频(RF )前端在网络和调制解调器之间的交互。新的RF 频段(如 3GPP 在 R15 中所定义的 sub-6 GHz 和毫米波(mm-wave))给产业界带来了巨大挑战。

LTE 的发展,尤其是载波聚合技术的应用,导致当今智能手机中的复杂架构。同时,RF 电路板和可用天线空间减少带来的密集化趋势,使越来越多的手持设备 OEM 厂商采用功率放大器模块并应用新技术,如 LTE 和 WiFi之间的天线共享。

在低频频段,所包含的 600 MHz频段将为低频段天线设计和天线调谐器带来新的挑战。随着新的超高频率(N77、N78、N79)无线电频段发布,5G 将带来更高的复杂性。具有双连接的频段重新分配(早期频段包括N41、N71、N28 和 N66,未来还有更多),也将增加对前端的限制。毫米波频谱中的 5G NR 无法提供 5G 关键 USP 的多千兆位速度,因此需要在前端模组中具有更高密度,以实现新频段集成。

5G 手机需要 4X4 MIMO 应用,这将在手机中增加大量RF流。结合载波聚合要求,将导致更复杂的天线调谐器和多路复用器。

RF 系统级封装(SiP )市场可分为一级和二级SiP封装:各种 RF 器件的一级封装,如芯片/晶圆级滤波器、开关和放大器(包括 RDL、RSV 和/或凸点步骤);在表面贴装(SMT)阶段进行的二级 SiP 封装,其中各种器件与无源器件一起组装在 SiP 基板上。2018 年,射频前端模组 SiP 市场(包括一级和二级封装)总规模为 33 亿美元,预计 2018~2023 年期间的复合年均增长率(CAGR)将达到 11.3%,市场规模到 2023 年将增长至53 亿美元。

预测2023年,PAMiD SiP 占 组装预计将占 RF SiP 的 市场总营收的 39% 。2018 年,晶圆级封装大约占 RF SiP 组装市场总量的 9%。移动领域各种射频前端模组的 SiP 市场,包括:PAMiD(带集成双工器的功率放大器模块)、PAM(功率放大器模块)、Rx DM(接收分集模块)、ASM(开关复用器、天线开关模块)、天线耦合器(多路复用器)、LMM(低噪声放大器-多路复用器模块)、MMMB PA(多模、多频带功率放大器)和毫米波前端模组。

MEMS预测,到2023 年,用于蜂窝和连接的射频前端 SiP  市场将分别占SiP 的 市场总量的 82%和 和 18% 。按蜂窝通信标准,支持 5G(sub-6GHz 和毫米波)的前端模组将占到 2023 年 RF SiP 市场总量的 28%。高端智能手机将贡献射频前端模组 SiP 组装市场的 43%,其次是低端智能手机(35%)和奢华智能手机(13%)。


高通发布 5G  手机射频前端模组化方案。

2019 年 年 2 向 月,高通宣布推出面向 5G 多模移动终端的第二代射频前端(多模移动终端的第二代射频前端( RFFE )解决方案。 全新推出的产品是一套完整的,可与全新Qualcomm® 骁龙™ X55 5G 调制解调器搭配使用的射频解决方案,为支持6GHz 以下频段和毫米波频段的高性能 5G 移动终端提供从调制解调器到天线的完整系统。支持更纤薄、更高效的 5G 多模移动终端。高通同时还发布了全球首款宣布的 5G 100MHz包络追踪解决方案 QET6100、集成式5G/4G 功率放大器(PA)和分集模组系列,以及 QAT3555 5G 自适应天线调谐解决方案。高通 QET6100 将包络追踪技术扩展到 5G NR 上行所需的 100MHz 带宽和 256-QAM 调制,这在之前被认为是无法实现。该解决方案与其他平均功率追踪技术相比,可将功效提升一倍,以更长的电池续航时间支持传输数据更快的终端,还可显著改善网络运营商非常关注的网络覆盖与网络容量。

Qualcomm 的全新先进射频前端功率放大器和分集模组包括:

1.功率放大器模组,搭配 QET6100 支持 100MHz 5G 包络追踪。QPM6585、QPM5677 和 QPM5679 分别支持 n41、n77/78 和 n79 频段。

2. 中/段 高频段 5G/4G 组 功率放大器模组 QPM5670,包括集成式低噪声放大器(LNA)、射频开关、滤波器和 5G 六工器。

3.低频段 5G/4G  功率放大器模组 QPM5621,包括集成式低噪声放大器、切换开关和滤波器,支持低频段/低频段载波聚合和双连接。

4.分集模组系列QDM58xx,包括集成式 5G/4G 低噪声放大器、射频开关和滤波器,支持 6GHz以下频段接收分集和多输入多输出(MIMO)。

5.为帮助 OEM 厂商应对日益增多的天线和频段给移动终端设计带来的挑战,Qualcomm 还推出了 QAT3555 Signal Boost 自适应天线调谐器,将自适应天线调谐技术扩展到 6GHz 以下的 5G 频段;与上一代产品相比,其封装高度降低了 25%,插入损耗显著减少。


5G 基站对PA的影响?

5G 基站,射频PA需求大幅增长

1.5G 基站PA数量有望增长 16 倍。4G 基站采用 4T4R 方案,按照三个扇区,对应的 PA 需求量为12个,5G 基站,预计 64T64R 将成为主流方案,对应的 PA需求量高达 192 个,PA数量将大幅增长。

2.5G  基站射频 PA 有望量价齐升。目前基站用功率放大器主要为基于硅的横向扩散金属氧化物半导体 LDMOS 技术,不过 LDMOS 技术仅适用于低频段,在高频应用领域存在局限性。对于 5G 基站 PA 的一些要求可能包括3~6GHz 和 24GHz~40GHz 的运行频率,RF 功率在 0.2W~30W 之间,估计 5G 基站 GaN 射频 PA 将逐渐成为主导技术,而 GaN 价格高于LDMOS和 GaAs。

3.GaN 具有优异的高功率密度和高频特性。提高功率放大器 RF功率的最简单的方式就是增加电压,这让氮化镓晶体管技术极具吸引。如果我们对比不同半导体工艺技术,就会发现功率通常会如何随着高工作电压IC技术而提高。硅锗(SiGe)技术采用相对较低的工作电压(2 V 至 3 V),但其集成优势非常有吸引力。GaAs 拥有微波频率和 5 V 至 7 V 的工作电压,多年来一直广泛应用于功率放大器。硅基 LDMOS 技术的工作电压为 28V,已经在电信领域使用了许多年,但其主要在 4 GHz 以下频率发挥作用,因此在宽带应用中的使用并不广泛。新兴 GaN技术的工作电压为 28 V至 50V,优势在于更高功率密度及更高截止频率(Cutoff Frequency,输出讯号功率超出或低于传导频率时输出讯号功率的频率),拥有低损耗、高热传导基板,开启了一系列全新的可能应用,尤其在 5G 多输入输出(Massive

MIMO)应用中,可实现高整合性解决方案。

4.典型的 GaN  射频器件的加工工艺,主要包括如下环节:外延生长-器件隔离-欧姆接触(制作源极、漏极)-氮化物钝化-栅极制作-场板制作-衬底减薄-衬底通孔等环节。

5.外延生长:采用金属氧化物化学气相沉积(MOCVD)或分子束外延(MBE)方式在 SiC 或 Si 衬底上外延 GaN材料。

6.器件隔离:采用离子注入或者制作台阶(去除掉沟道层)的方式来实现器件隔离。射频器件之间的隔离是制作射频电路的基本要求。

7. 欧姆接触:形成欧姆接触是指制作源极和漏极的电极。对 GaN材料而言,制造欧姆接触需要在很高的温度下完成。

8.氮化物钝化:在源极和漏极制作完成后,GaN 半导体材料需要经过钝化过程来消除悬挂键等界面态。GaN 的钝化过程通常采用 SiN(氮化硅)来实现。

9.栅极制作:在 SiN 钝化层上开口,然后沉积栅极金属。至此,基本的场效应晶体管的结构就成型了。

10.场板制作:栅极制作完成后,继续沉积额外的几层金属和氮化物,来制作场板、互连和电容,此外,也可以保护器件免受外部环境影响。

11.衬底减薄:衬底厚度减薄至 100μm 左右,然后对减薄后的衬底背部进行金属化。

12.衬底通孔:通孔是指在衬底上表面和下表面之间刻蚀出的短通道,用于降低器件和接地(底部金属化层)之间的电感。

13.GaN 材料已成为基站 PA 的有力候选技术。GaN 是极稳定的化合物,具有强的原子键、高的热导率、在Ⅲ-Ⅴ族化合物中电离度是最高的、化学稳定性好,使得 GaN 器件比 Si 和 GaAs 有更强抗辐照能力,同时 GaN又是高熔点材料,热传导率高,GaN 功率器件通常采用热传导率更优的 SiC 做衬底,因此 GaN 功率器件具有较高的结温,能在高温环境下工作。GaN 高电子迁移率晶体管(HEMT)凭借其固有的高击穿电压、高功率密度、大带宽和高效率,已成为基站 PA的有力候选技术。

13.GaN  射频器件更能有效满足5G的高功率、高通信频段和高效率等要求。相较于基于 Si 的横向扩散金属氧化物半导体(Si LDMOS,Lateral Double-diffused Metal-oxide Semiconductor)和 GaAs,在基站端 GaN射频器件更能有效满足 5G 的高功率、高通信频段和高效率等要求。目前针对 3G 和 LTE基站市场的功率放大器主要有 Si LDMOS和 GaAs 两种,但 LDMOS 功率放大器的带宽会随着频率的增加而大幅减少,仅在不超过约 3.5GHz 的频率范围内有效,而 GaAs 功率放大器虽然能满足高频通信的需求,但其输出功率比 GaN 器件逊色很多。在 5G 高集成的 MassiveMIMO 应用中,它可实现高集成化的解决方案,如模块化射频前端器件。

在毫米波应用上,GaN 的高功率密度特性在实现相同覆盖条件及用户追踪功能下,可有效减少收发通道数及整体方案的尺寸。实现性能成本的最优化组合。随着 5G 时代的到来,小基站及 Massive MIMO 的飞速发展,会对集成度要求越来越高,GaN 自有的先天优势会加速功率器件集成化的进程。5G 会带动 GaN 这一产业的飞速发展。然而,在移动终端领域 GaN射频器件尚未开始规模应用,原因在于较高的生产成本和供电电压。GaN将在高功率,高频率射频市场发挥重要作用。


GaN 射频 PA 有望成为 5G 基站主流技术

1.预测未来大部分 6GHz 用 以下宏网络单元应用都将采用 GaN 器件,小基站器件,小基站 GaAs  优势更明显。就电信市场而言,得益于 5G 网络应用的日益临近,将从 2019 年开始为 GaN 器件带来巨大的市场机遇。相比现有的硅 LDMOS(横向双扩散金属氧化物半导体技术)和 GaAs(砷化镓)解决方案,GaN 器件能够提供下一代高频电信网络所需要的功率和效能。而且,GaN 的宽带性能也是实现多频带载波聚合等重要新技术的关键因素之一。GaN HEMT(高电子迁移率场效晶体管)已经成为未来宏基站功率放大器的候选技术。由于 LDMOS 无法再支持更高的频率,GaAs 也不再是高功率应用的最优方案,预计未来大部分6GHz 以下宏网络单元应用都将采用 GaN 器件。5G 网络采用的频段更高,穿透力与覆盖范围将比 4G 更差,因此小基站(small cell)将在 5G 网络建设中扮演很重要的角色。不过,由于小基站不需要如此高的功率,GaAs 等现有技术仍有其优势。与此同时,由于更高的频率降低了每个基站的覆盖率,因此需要应用更多的晶体管,预计市场出货量增长速度将加快。

2.预计到 2025 年 年 GaN  将主导 RF  功率器件市场,抢占基于硅 LDMOS技术的基站技术的基站 PA  市场。根据 yole 的数据,2014 年基站 RF 功率器件市场规模为11 亿美元,其中 GaN 占比 11%,而横向双扩散金属氧化物半导体技术(LDMOS)占比 88%。2017 年,GaN 市场份额预估增长到了 25%,并且预计将继续保持增长。预计到 2025 年 GaN 将主导 RF 功率器件市场,抢占基于硅 LDMOS技术的基站 PA市场。

3.对于既定功率水平,GaN 具有体积小的优势。有了更小的器件,则可以减小器件电容,从而使得较高带宽系统的设计变得更加轻松。

4.氮化镓基 MIMO 天线功耗可降低 40% 。下图展示的是锗化硅和氮化镓的毫米波 5G 基站 MIMO 天线方案,左侧展示的是锗化硅基 MIMO 天线,它有1024 个元件,裸片面积是 4096 平方毫米,辐射功率是 65dbm,与之形成鲜明对比的,是右侧氮化镓基 MIMO 天线,尽管价格较高,但功耗降低了40%,裸片面积减少 94%。


GaN适用于大规模 MIMO

1.GaN 芯片每年在功率密度和封装方面都会取得飞跃,能比较好的适用于大规模芯片每年在功率密度和封装方面都会取得飞跃,能比较好的适用于大规模 MIMO  技术。当前的基站技术涉及具有多达 8 个天线的 MIMO 配置,以通过简单的波束形成算法来控制信号,但是大规模 MIMO 可能需要利用数百个天线来实现 5G 所需要的数据速率和频谱效率。 大规模 MIMO 中使用的耗电量大的有源电子扫描阵列(AESA),需要单独的 PA 来驱动每个天线元件,这将带来显著的尺寸、重量、功率密度和成本(SWaP-C)挑战。这将始终涉及能够满足 64 个元件和超出 MIMO 阵列的功率、线性、热管理和尺寸要求,且在每个发射/接收(T/R)模块上偏差最小的射频 PA。

2.MIMO PA 年复合增长率将达到 135% 。预计 2022 年,4G/ 5G 基础设施用RF 半导体的市场规模将达到 16 亿美元,其中,MIMO PA 年复合增长率将达到 135%,射频前端模块的年复合增长率将达到 119%。

3.预计未来 5 ~10  年, GaN 为 将成为3W及以上RF 功率应用的主流技术。根据 Yole 预测,2017 年,全球 GaN 射频市场规模约为 3.84 亿美元,在3W 以上(不含手机 PA)的 RF 射频市场的渗透率超过 20%。GaN 在基站、雷达和航空应用中,正逐步取代 LDMOS。随着数据通讯、更高运行频率和带宽的要求日益增长,GaN 在基站和无线回程中的应用持续攀升。在未来的网络设计中,针对载波聚合和大规模输入输出(MIMO)等新技术,GaN 将凭借其高效率和高宽带性能,相比现有的 LDMOS 处于更有利的位置。未来 5~10 年内,预计 GaN 将逐步取代 LDMOS,并逐渐成为3W 及以上 RF 功率应用的主流技术。而 GaAs 将凭借其得到市场验证的可靠性和性价比,将确保其稳定的市场份额。LDMOS 的市场份额则会逐步下降,预测期内将降至整体市场规模的 15%左右。

4.到 2023  年,GaN RF 器件市场规模达到13亿美元,约占 3W 以上的RF的 功率市场的 45% 。截止 2018 年底,整个 RF GaN市场规模接近 4.85 亿美元。未来大多数低于 6GHz 的宏网络单元实施将使用 GaN 器件,无线基础设施应用占比将进一步提高至近 43%。


RF GaN 市场的发展方向

1.GaN 以 技术主要以IDM 为主。经过数十年的发展,GaN 技术在全球各大洲已经普及。市场领先的厂商主要包括 Sumitomo Electric、Wolfspeed(Cree 科锐旗下)、Qorvo,以及美国、欧洲和亚洲的许多其它厂商。化合物半导体市场和传统的硅基半导体产业不同。相比传统硅工艺,GaN 技术的外延工艺要重要的多,会影响其作用区域的品质,对器件的可靠性产生巨大影响。这也是为什么目前市场领先的厂商都具备很强的外延工艺能力,并且为了维护技术秘密,都倾向于将这些工艺放在自己内部生产。

2.GaN-on-SiC  更具有优势。尽管如此,Fabless 设计厂商通过和代工合作伙伴的合作,发展速度也很快。凭借与代工厂紧密的合作关系以及销售渠道,NXP 和 Ampleon 等领先厂商或将改变市场竞争格局。同时,目前市场上还存在两种技术的竞争:GaN-on-SiC(碳化硅上氮化镓)和 GaN-on-silicon(硅上氮化镓)。它们采用了不同材料的衬底,但是具有相似的特性。

理论上,GaN-on-SiC 具有更好的性能,而且目前大多数厂商都采用了该技术方案。不过,M/A-COM 等厂商则在极力推动 GaN-on-Silicon 技术的广泛应用。未来谁将主导还言之过早,目前来看,GaN-on-silicon 仍是GaN-on-SiC 解决方案的有力挑战者。


全球 GaN 射频器件产业链竞争格局是什么?

1.境外 GaN 射频器件产业链重点公司及产品进展

2.GaN 微波射频器件产品推出速度明显加快。目前微波射频领域虽然备受关注,但是由于技术水平较高,专利壁垒过大,因此这个领域的公司相比较电力电子领域和光电子领域并不算很多,但多数都具有较强的科研实力和市场运作能力。GaN 微波射频器件的商业化供应发展迅速。据材料深一度对 Mouser 数据统计分析显示,截至 2018 年 4 月,共有 4 家厂商推出了150 个品类的 GaN HEMT, 占整个射频晶体管供应品类的 9.9%,较 1 月增长了 0.6%。

3.Qorvo  产品工作频率范围最大,Skyworks  产品工作频率较小。Qorvo、CREE、MACOM 73%的产品输出功率集中在 10W~100W 之间,最大功率达到 1500W(工作频率在 1.0-1.1GHz, 由 Qorvo 生产),采用的技术主要是 GaN/SiC GaN 路线。此外,部分企业提供 GaN 射频模组产品,目前有4家企业对外提供 GaN 射频放大器的销售,其中 Qorvo 产品工作频率范围最大,最大工作频率可达到 31GHz。Skyworks 产品工作频率较小,主要集中在 0.05-1.218GHz 之间。

4. Qorvo 射频放大器的产品类别最多。在我国工信部公布的2个5G 工作频段(3.3-3.6GHz、4.8-5GHz,)内,Qorvo 公司推出的射频放大器的产品类别最多,最高功率分别高达 100W 和 80W(1 月份 Qorvo 在 4.8-5GHz 的产品最高功率为 60W),ADI 在 4.8-5GHz 的产品最高功率提高到 50W(之前产品的最高功率不到 40W), 其他产品的功率大部分在 50W 以下。

大陆 GaN 射频器件产业链重点公司及产品进展:欧美国家出于对我国技术发展速度的担忧及遏制我国新材料技术的发展想法,在第三代半导体材料方面,对我国进行几乎全面技术封锁和材料封锁。在此情况下,我国科研机构和企业单位立足自主创新,目前在 GaN 微波射频领域已取得显著成效,在军事国防领域和民用通信领域两个领域进行突破,打造了中电科 13 所、中电科 55 所、中兴通信、大唐移动等重点企业以及中国移动、中国联通等大客户。

5.苏州能讯推出了频率高达 6GHz压 、工作电压 48V从 、设计功率从 10W-320W的射频功率晶体管。在移动通信方面,苏州能讯已经可以提供适合 LTE、4G、5G 等移动通信应用的高效率和高增益的射频功放管,工作频率涵盖1.8-3.8GHz,工作电压 48V,设计功率从 130W-390W,平均功率为 16W-55W。


5G 时代,窄带物联网设备射频前端迎来发展新机遇

1.伴随着 5G 大幕拉开,特别是对于智能手机来说,新的应用和新需求,刺激着射频前端市场涌现出很多新名词,比如,MIMO,HPUE,NSA,SA,PAMiD 等等。射频前端需要更高整合度,从而支持更加复杂的频段和通信标准。

2.IOT  设备射频前端要求更低功耗,更长待机时间和更低的成本。在手机市场追求更快更强的同时,有另外一个市场就是窄带物联网 (Cat-M /NB-IoT),它在另外一个维度满足市场需求,比如更低功耗,更长待机时间和更低的成本。新的 Cat-M 和 NB-IoT 网络中,对于终端的要求在发生变化,应用于该设备的射频前端器件也有新的发展要求。新的射频前端需要在支持超宽带工作,并且保证低成本的情况下,满足更大范围的工作电压和工作温度,同时达到 3GPP规定的射频性能标准。


文章来源:互联网 文章整理:唯常思价值投资网

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